IRFD9110

Name: IRFD9110
Brand: Harris Corporation

模拟与电源

0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL

在产4-DIP (0.300", 7.62mm)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 420mA, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
制造商	Harris Corporation
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	700mA (Ta)
最大功耗	1.3W (Ta)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)