IRF433

Harris Corporation

IRF433

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-204AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
制造商Harris Corporation
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压450 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
最大功耗75W

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-204AA
供应商器件封装TO-3