HUF75339S3

Harris Corporation

HUF75339S3

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 25 V
制造商Harris Corporation
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列UltraFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大功耗124W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装TO-262AA

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)