HGT1S15N120C3S

Harris Corporation

HGT1S15N120C3S

模拟与电源

35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Gate Charge100 nC
输入类型Standard
制造商Harris Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 15A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max164 W

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263AB

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)