SSF6912

Good-Ark Semiconductor

SSF6912

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds725 pF @ 15 V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6L

环境

工作温度-50°C ~ 150°C (TJ)