SSF3611E

Good-Ark Semiconductor

SSF3611E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3224 pF @ 15 V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大功耗2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)