GSFP6886

Good-Ark Semiconductor

GSFP6886

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 10V
配置2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890pF @ 30V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Power - Max67W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PPAK (5.1x5.71)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)