GSFP0365

Good-Ark Semiconductor

GSFP0365

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -64V

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 15 V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
最大功耗56.8W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PPAK (4.89x5.74)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)