GSFN2306

Good-Ark Semiconductor

GSFN2306

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 20A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2790 pF @ 10 V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
最大功耗44.6W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-PPAK (3.05x3.08)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)