GSFL2004

Good-Ark Semiconductor

GSFL2004

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds775 pF @ 30 V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.9V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大功耗30W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)