GSFH0970

Good-Ark Semiconductor

GSFH0970

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26000 pF @ 25 V
制造商Good-Ark Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Tc)
最大功耗208W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-50°C ~ 150°C (TJ)