GT55N06D5

Goford Semiconductor

GT55N06D5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 45A DFN5*6-8L

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 14A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SGT
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

电气

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
最大功耗69W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFN (4.9x5.75)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)