GT110N06D5

Goford Semiconductor

GT110N06D5

Datasheet

模拟与电源

N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1202 pF @ 30 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列GT
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
最大功耗69W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFN (4.9x5.75)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)