GT100N12D5

Goford Semiconductor

GT100N12D5

Datasheet

模拟与电源

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 60 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

电气

漏源电压120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A
最大功耗120W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-DFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)