GT1003D

Name: GT1003D
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 3A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	212 pF @ 50 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA

漏源电压	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A
最大功耗	2W

工作温度	-55°C~150°C(TJ)