GT1003A

Name: GT1003A
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 3A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	206 pF @ 50 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	GT
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
最大功耗	1.6W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)