GT090N06S

Name: GT090N06S
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 8A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1378 pF @ 30 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Tc)
最大功耗	3.1W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)