GT035N10M

Goford Semiconductor

GT035N10M

Datasheet

模拟与电源

N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6188 pF @ 50 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190A (Tc)
最大功耗277W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装TO-263

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)