GT009N04D5

Name: GT009N04D5
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N40V,100A,RD<1.3M@10V,VTH1.0V~2

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6864 pF @ 20 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
最大功耗	125W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)