GS120R045Q4

Name: GS120R045Q4
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

SiC MOSFET N-CH 1200V 60A TO-24

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 20A, 18V
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2565 pF @ 1000 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	-10V, +20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
最大功耗	395W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)