GC20N65Q

Goford Semiconductor

GC20N65Q

Datasheet

模拟与电源

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1724 pF @ 100 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Cool MOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗151W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)