G7K2N20LLE

Name: G7K2N20LLE
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH

在产SOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	577 pF @ 100 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
最大功耗	1.8W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)