G700P06D3

Name: G700P06D3
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH

在产8-PowerVDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1446 pF @ 30 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	G
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
最大功耗	32W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)