G66

Name: G66
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45M@-4.5V,VT

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 4.1A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 4 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	G
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Ta)
最大功耗	1.7W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)