G60N04K

Name: G60N04K
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 20 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A
最大功耗	65W

工作温度	-55°C~150°C(TJ)