G2K3N10L6

Goford Semiconductor

G2K3N10L6

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
基础料号G2K3N
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Power - Max1.67W (Tc)

机械

Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6L

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)