通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| 最大功耗 | 1.05W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|