G29

Goford Semiconductor

G29

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 3A, 4.5V
FET FeatureStandard
FET TypeP-Channel
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Tc)
最大功耗1.05W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)