G2312

Name: G2312
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 4.2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780 pF @ 10 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A
最大功耗	1.25W

工作温度	-55°C~150°C(TJ)