G2305

Goford Semiconductor

G2305

Datasheet

模拟与电源

P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4.1A, 4.5V
FET FeatureStandard
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 4.5 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A (Tc)
最大功耗1.7W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)