G20N06D52

Goford Semiconductor

G20N06D52

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

在产8-DFN (4.9x5.75)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 20A, 10V
基础料号G20N
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1326pF @ 30V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-DFN (4.9x5.75)
供应商器件封装8-PowerTDFN

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)