G2012

Name: G2012
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1255 pF @ 10 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
最大功耗	1.5W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)