G2003A

Name: G2003A
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 25 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)
最大功耗	1.8W (Tc)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)