G1NP02LLE

Goford Semiconductor

G1NP02LLE

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds146pF @ 10V, 177pF @ 10V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA, 800mV @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Power - Max1.25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6L

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)