G120P03S2

Goford Semiconductor

G120P03S2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 30V 16A 8SOP

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 10A, 10V
基础料号G120
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2835pF @ 15V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Power - Max1.4W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)