G11S

Name: G11S
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.4mOhm @ 1A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2455 pF @ 10 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	G
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
最大功耗	3.3W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)