G10N10A

Name: G10N10A
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N100V,RD(MAX)130mOHM@10V,TO-252

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	690 pF @ 25 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
最大功耗	28W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)