G100C04D52

Goford Semiconductor

G100C04D52

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 40V 40A/24A 8DFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 10V, 16mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V, 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2213pF @ 20V, 2451pF @ 20V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc), 24A (Tc)
Power - Max65W (Tc), 50W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFN (4.9x5.75)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)