通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| 最大功耗 | 3.3W (Tc) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3L |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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