G01N20LE

Name: G01N20LE
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 25 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
最大功耗	1.5W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)