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Goford Semiconductor

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Datasheet

模拟与电源

N20V,RD(MAX)<25M@4.5V,RD(MAX)<30

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 10 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
最大功耗1.25W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)