60N06

Name: 60N06
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2050 pF @ 30 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

漏源电压	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A
最大功耗	85W

工作温度	-55°C~150°C(TJ)