3401

Name: 3401
Brand: Goford Semiconductor

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 4.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	950 pF @ 15 V
制造商	Goford Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
最大功耗	1.2W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)