3400

Goford Semiconductor

3400

Datasheet

模拟与电源

N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2.8A, 2.5V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds820 pF @ 15 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Tc)
最大功耗1.4W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)