2300F

Goford Semiconductor

2300F

Datasheet

模拟与电源

N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 2.3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds630 pF @ 10 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id0.9V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大功耗1.25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度150°C(TJ)