1002

Goford Semiconductor

1002

Datasheet

模拟与电源

N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds387 pF @ 10 V
制造商Goford Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
最大功耗1.3W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)