GD5F1GQ5UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ5UEYIGR

Datasheet

存储器与存储

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD

在产8-WDFN Exposed Pad存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND (SLC)
访问时间7 ns
制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列GD5F
写周期时间600µs

电气

存储容量1Gbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
时钟频率133 MHz
供电电压2.7V ~ 3.6V
Memory Organization256M x 4

机械

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-WSON (6x8)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)