GD25Q256DYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q256DYIGR

Datasheet

存储器与存储

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON

已停产8-WDFN Exposed Pad存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NOR
基础料号GD25Q256
制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
写周期时间50µs, 2.4ms

电气

存储容量256Mbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
时钟频率104 MHz
供电电压2.7V ~ 3.6V
Memory Organization32M x 8

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-WSON (6x8)

环境

工作温度-40°C~85°C(TA)