GD25LQ128ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ128ESIGR

Datasheet

存储器与存储

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP

在产8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NOR
访问时间7 ns
基础料号GD25LQ128
制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
写周期时间60µs, 2.4ms

电气

存储容量128Mbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
时钟频率120 MHz
供电电压1.65V ~ 2V
Memory Organization16M x 8

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)