GD25LB256EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB256EWIGR

Datasheet

存储器与存储

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON

在产8-WDFN Exposed Pad存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NOR (SLC)
访问时间6 ns
制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态在产
系列GD25LB
写周期时间70µs, 1.2ms

电气

存储容量256Mbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
时钟频率166 MHz
供电电压1.65V ~ 2V
Memory Organization32M x 8

机械

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-WSON (5x6)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)