通用
| 基础料号 | GD30MPS06 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 735pF @ 1V, 1MHz |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装 | Tube |
| 产品状态 | 在产 |
| 系列 | SiC Schottky MPS™ |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 51A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
机械
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
环境
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|